高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片在陕研制成功

来源：陕西日报 2026-07-14 07:59

7月8日，记者从省国资委获悉：近日，高功率1060纳米超辐射发光二极管（SLD）芯片在陕西研制成功。该芯片由陕西投资集团下属企业西安立芯光电科技有限公司研制，打破了国内同类产品长期依赖进口的局面，将为国内脉冲光纤激光器厂商提供稳定、可靠的国产核心器件，有力支撑我国高端激光产业链安全可控发展。

“高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片是光纤激光器的理想种子源。宽谱超辐射发光二极管（SLD）型工作模式使其在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射效应，突破系统峰值功率的上限，适用于高端精密制造、科学研究及工业检测等应用场景。”立芯光电技术负责人介绍，研发团队经过深入攻关，攻克了外延材料生长、波导弯曲角度优化、腔面镀膜等一系列关键工艺难题，成功制备出高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片。经测试，该芯片在CW（连续波）模式下，某些重要性能优于国际同类产品。