宽禁带半导体国家工程研究中心

西部网讯（记者 刘望）在今年的全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会上，由西安电子科技大学教授马晓华牵头项目“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”获2023年度国家科学技术进步一等奖。起点新闻·西部网对该项目进行展播。

从4G到5G国产氮化镓技术和产品已处于国际领先水平

高性能射频功率放大器是移动通信系统的核心。以前的4G通信时代，射频芯片的基础多以硅和砷化镓为材料，在当时的确可以满足4G通信的需求。但进入5G时代后，4G时代的射频芯片已经不能满足用户需求，所以需要频率、能效、带宽和线性度更高的芯片。

而以氮化镓为材料的第三代半导体材料可以满足5G通信时代高性能射频功率放大器的制造需求。此前我国氮化镓技术一直难以规模化商用，马晓华教授的项目团队历时十余年，探索出一条产学研用深度融合的集成电路国产化发展模式，系统性突破了宽频带、高能效、高线性的氮化镓射频功率放大器核心技术，氮化镓外延材料、器件产品、功放系统和5G基站核心指标均处于国际领先水平，实现了全球最大规模5G基站产业化应用。

助力国产芯片跨代发展基站用射频功率芯片从硅向第三代半导体技术的跨代发展

项目团队实现了针对5G移动通信用氮化镓材料、器件、工艺、芯片、模块到基站产品的全链条技术开发及产业化应用，全面发展了我国氮化镓材料、器件和芯片制造产业，同时带动了一批国产氮化镓设备研制与产业化，为我国氮化镓射频芯片和通信基站的全应业链自主可控做出了重大贡献。

该项目在国际上首次实现了5G基站的氮化镓射频功放产品和全球最大规模应用，完成了我国基站用射频功率芯片从硅向第三代半导体技术的跨代发展，实现了我国氮化镓射频芯片技术的国际引领，支撑了我国在5G移动通信领域的国际领先。